طبق بیانیه این شرکت پیشرو فناوری ، این حافظه ها با استفاده از فناوری “HKMG” مونتاژ می شوند که چندین برابر سریعتر از DDR4 است و در عین حال انرژی کمتری مصرف می کند. حافظه جدید با هدف پاسخگویی به خواسته های سیری ناپذیر ابر رایانه ها ، هوش مصنوعی و یادگیری ماشین و همچنین برنامه های تجزیه و تحلیل داده هاساخته شده است.
یک عدد حافظه رم RAM 512 گیگابایتی DDR5 شامل 8 لایه تراشه DRAM است که هر کدام از آنها ظرفیت حافظه 16 گیگابایت دارند. بنابراین سازنده توانسته است پیکربندی ریز مدار را به حداکثر برساند و اندازه کل حافظه را 512 گیگابایت کند.
این حافظه های جدید DDR5 سرعت تبادل را به 7200 مگابایت در ثانیه رساند که بیش از دو برابر سرعت رم های DDR4 ارائه شده در بازار است. خوشبختانه مهندسان به بهره وری انرژی بهتری رسیده اند. در مقایسه با واحدهای امروزی ، واحدهای جدید این رم 13٪ مصرف انرژی کمتری دارند. فناوری HKMG فناوری نسبتاً جدیدی است که از سال 2018 آغاز به کار کرده است و این فناوری مبتنی بر TSV است.
یانگ سو سون ، نایب رئیس گروه برنامه ریزی و توانمندسازی حافظه DRAM در سامسونگ الکترونیک گفت: سامسونگ تنها شرکت نیمه هادی است که از قابلیت های ویژه در توسعه فناوری های ” حافظه و منطق ” برخوردار است و مهارت استفاده از فناوری منطقی پیشرفته HKMG در توسعه محصول حافظه را دارد.
با آوردن این نوع نوآوری در فرآیند تولید DRAM ، ما می توانیم برای تأمین انرژی رایانه های مورد نیاز برای تحقیقات پزشکی ، بازارهای مالی ، رانندگی اتوماتیک ، شهرهای هوشمند و فراتر از آن ، به مشتریان خود راهکارهای ” حافظه با عملکرد بالا و در عین حال کم مصرف ارائه دهیم.”
